2016310

FDD86252

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Spécifications

Modèle de produit

FDD86252
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDD86252.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-PAK (TO-252)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.1W (Ta), 89W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

FDD86252DKR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

985pF @ 75V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

150V
Description détaillée

N-Channel 150V 5A (Ta), 27A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5A (Ta), 27A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDD86252".

FDD86367-F085

La description: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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