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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDFM2N111

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FDFM2N111 image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDFM2N111

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Spécifications

Modèle de produit

FDFM2N111
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDFM2N111.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

MicroFET 3x3mm
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1.7W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-MLP, Power33
Autres noms

FDFM2N111-ND
FDFM2N111TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

273pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3.8nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 4A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount MicroFET 3x3mm
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Ta)

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Expédition

Paiement

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