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FDFS2P103A

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Spécifications

Modèle de produit

FDFS2P103A
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDFS2P103A.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SOIC
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

59 mOhm @ 5.3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

900mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

FDFS2P103A_NL
FDFS2P103A_NLTR
FDFS2P103A_NLTR-ND
FDFS2P103ATR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

P-Channel 30V 5.3A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.3A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "FDFS2P103A".

FDFME3N311ZT

La description: MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDFS2P103A

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