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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDFS6N548

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FDFS6N548 image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDFS6N548

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Spécifications

Modèle de produit

FDFS6N548
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDFS6N548.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-SO
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 7A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.6W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms

FDFS6N548TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 7A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7A (Ta)

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Mode de paiement

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Expédition

Paiement

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FDFS2P102

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FDFS2P753AZ

La description: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO

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FDFS2P103

La description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDFMA2P029Z

La description: MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDFMA2P029Z-F106

FDFMA2P029Z-F106

La description: -20V -3.1A 95 O PCH ER T

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDFS2P103A

La description: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

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