FDMA2002NZ

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Spécifications

Modèle de produit

FDMA2002NZ
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMA2002NZ.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Package composant fournisseur

6-MicroFET (2x2)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

123 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Puissance - Max

650mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-VDFN Exposed Pad
Autres noms

FDMA2002NZTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 650mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.9A

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Ce qui suit est des produits liés à "FDMA2002NZ".

FDMA410NZT

La description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-ULMP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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