FDMA291P

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Spécifications

Modèle de produit

FDMA291P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMA291P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

6-MicroFET (2x2)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

42 mOhm @ 6.6A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

2.4W (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

6-VDFN Exposed Pad
Autres noms

FDMA291PCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 4.5V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

P-Channel 20V 6.6A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.6A (Ta)

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livraison
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FDMA1032CZ

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