FDMA8884

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Spécifications

Modèle de produit

FDMA8884
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMA8884.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

6-MicroFET (2x2)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.9W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-VDFN Exposed Pad
Autres noms

FDMA8884-ND
FDMA8884TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 6.5A (Ta), 8A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6.5A (Ta), 8A (Tc)

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livraison
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FDMB3800N

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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