FDMB3900AN

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Spécifications

Modèle de produit

FDMB3900AN
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMB3900AN.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 7A, 10V
Puissance - Max

800mW
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMB3900AN-ND
FDMB3900ANTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

18 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 13V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7A 800mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7A

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Ce qui suit est des produits liés à "FDMB3900AN".

FDMB668P

La description: MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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