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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FDMC86259P

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FDMC86259P image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMC86259P

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC86259P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 150V 13A POWER33
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC86259P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

Power33
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

107 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.3W (Ta), 62W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMC86259PTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2045pF @ 75V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

150V
Description détaillée

P-Channel 150V 3.2A (Ta), 13A (Tc) 2.3W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount Power33
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.2A (Ta), 13A (Tc)

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livraison
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Expédition

Paiement

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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