FDMC86262P

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC86262P
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC86262P.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-MLP (3.3x3.3)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

307 mOhm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.3W (Ta), 40W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMC86262PCT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

885pF @ 75V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

150V
Description détaillée

P-Channel 150V 2A (Ta), 8.4A (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2A (Ta), 8.4A (Tc)

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FDMC86244

La description: MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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