FDMC8676

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC8676
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 16A POWER33
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC8676.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

Power33
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.9 mOhm @ 14.7A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.3W (Ta), 41W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Autres noms

FDMC8676TR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1935pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 16A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount Power33
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

16A (Ta), 18A (Tc)

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FDMC86340ET80

La description:

Fabricant: ON Semiconductor

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