FDMC89521L

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Spécifications

Modèle de produit

FDMC89521L
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMC89521L.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Package composant fournisseur

8-Power33 (3x3)
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 8.2A, 10V
Puissance - Max

1.9W (Ta), 16W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

8-PowerWDFN
Autres noms

FDMC89521L-ND
FDMC89521LTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1635pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8.2A (Ta) 1.9W (Ta), 16W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.2A (Ta)

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FDMD8430

La description: FET ENGR DEV-NOT REL

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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