FDMS004N08C

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Spécifications

Modèle de produit

FDMS004N08C
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

FDMS004N08C.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

8-PQFN (5x6), Power56
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 44A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Package / Boîte

8-PowerTDFN
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant

39 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4250pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

80V
Description détaillée

N-Channel 80V 126A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

126A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "FDMS004N08C".

FDMS0302S

La description: MOSFET N-CH 30V 29A

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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