FDMJ1032C

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Spécifications

Modèle de produit

FDMJ1032C
Fabricant / marque

Fairchild (onsemi)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FDMJ1032C.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

270pF @ 10V
Tension - Ventilation

SC-75, MicroFET
Vgs (th) (Max) @ Id

90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Séries

PowerTrench®
État RoHS

Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2A, 2.5A
Puissance - Max

800mW
Polarisation

6-WFDFN Exposed Pad
Autres noms

FDMJ1032CTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

FDMJ1032C
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3nC @ 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.5V @ 250µA
Fonction FET

N and P-Channel
Description élargie

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.5A 800mW Surface Mount SC-75, MicroFET
Tension drain-source (Vdss)

Logic Level Gate
La description

MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.5A SC75
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

20V

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Ce qui suit est des produits liés à "FDMJ1032C".

FDMQ86530L

La description: MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FDMJ1032C

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