FDP150N10

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Spécifications

Modèle de produit

FDP150N10
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 57A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FDP150N10.pdf
2.FDP150N10.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 49A, 10V
Dissipation de puissance (max)

110W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4760pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 57A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

57A (Tc)

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livraison
Mode de paiement

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "FDP150N10".

FDP12N60NZ

La description: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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