2022461

FDP18N20F

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Spécifications

Modèle de produit

FDP18N20F
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FDP18N20F.pdf
2.FDP18N20F.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

145 mOhm @ 9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

100W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1180pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

18A (Tc)

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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "FDP18N20F".

FDP150N10A

La description: MOSFET N-CH 100V 50A TO-220-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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