FGA50N60LS

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Spécifications

Modèle de produit

FGA50N60LS
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 100A 240W TO3P
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FGA50N60LS.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A
Condition de test

300V, 50A, 5.9 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

54ns/146ns
énergie de commutation

1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
Package composant fournisseur

TO-3P
Séries

-
Puissance - Max

240W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

-
gate charge

167nC
Description détaillée

IGBT 600V 100A 240W Through Hole TO-3P
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

150A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100A

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Ce qui suit est des produits liés à "FGA50N60LS".

FGA5065ADF

La description: IGBT 650V 100A TO-3PN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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