FGA6560WDF

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Spécifications

Modèle de produit

FGA6560WDF
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FGA6560WDF.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A
Condition de test

400V, 60A, 6 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

25.6ns/71ns
énergie de commutation

2.46mJ (on), 520µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-3PN
Séries

-
Temps de recouvrement inverse (trr)

110ns
Puissance - Max

306W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-3P-3, SC-65-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

84nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

180A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

120A

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "FGA6560WDF".

FGA50N60LS

La description: IGBT 600V 100A 240W TO3P

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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