FJV992FMTF

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Spécifications

Modèle de produit

FJV992FMTF
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FJV992FMTF.pdf
2.FJV992FMTF.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

120V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

SOT-23-3
Séries

-
Puissance - Max

300mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

FJV992FMTFCT
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

50MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 120V 50mA 50MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50mA
Numéro de pièce de base

FJV992

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Ce qui suit est des produits liés à "FJV992FMTF".

FJV4110RMTF

La description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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