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4063217FMB5551 imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FMB5551

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Spécifications
  • Modèle de produit
    FMB5551
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2NPN 160V 0.6A 6SSOT
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    160V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    200mV @ 5mA, 50mA
  • Transistor Type
    2 NPN (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SuperSOT™-6
  • Séries
    -
  • Puissance - Max
    700mW
  • Emballage
    Original-Reel®
  • Package / Boîte
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Autres noms
    FMB5551DKR
  • Température de fonctionnement
    150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    43 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    300MHz
  • Description détaillée
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 600mA 300MHz 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    50nA (ICBO)
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    600mA
  • Numéro de pièce de base
    FMB5551
FMB50DYHR

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FMB55DYFN-S1355

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FMB55DYHT

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FMB50DYRR

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FMB50DYRN

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FMB50DYHN-S1355

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FMB55DYHN-S1355

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FMB55DYHD

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FMB55DYFR

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FMB55DYFT

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FMB50DYRD

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