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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQB13N10TM

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FQB13N10TM image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQB13N10TM

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Spécifications

Modèle de produit

FQB13N10TM
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQB13N10TM.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 6.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.75W (Ta), 65W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12.8A (Tc)

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Expédition

Paiement

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FQB12N50TM_AM002

FQB12N50TM_AM002

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FQB14N15TM

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FQB12N60TM_AM002

FQB12N60TM_AM002

La description: MOSFET N-CH 600V 10.5A D2PAK

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FQB13N10LTM

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La description: MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK

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FQB12P10TM

La description: MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK

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La description: MOSFET N-CH 300V 14.4A D2PAK

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FQB17N08LTM

La description: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQB13N06LTM

La description: MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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FQB17P06TM

La description: MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK

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