FQB17P06TM

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Spécifications

Modèle de produit

FQB17P06TM
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQB17P06TM.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

3.75W (Ta), 79W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

P-Channel 60V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

17A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "FQB17P06TM".

FQB17N08TM

La description: MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

FQB17P06TM

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