FQP2N80

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Spécifications

Modèle de produit

FQP2N80
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FQP2N80.pdf
2.FQP2N80.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.3 Ohm @ 1.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

85W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.4A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "FQP2N80".

FQP32N12V2

La description: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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