FQP2P40

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Spécifications

Modèle de produit

FQP2P40
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 400V 2A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.FQP2P40.pdf
2.FQP2P40.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220-3
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

63W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

400V
Description détaillée

P-Channel 400V 2A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "FQP2P40".

FQP32N20C_F080

La description: MOSFET N-CH 200V 28A TO-220

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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