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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > FQU4P25TU

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FQU4P25TU image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQU4P25TU

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Spécifications

Modèle de produit

FQU4P25TU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET P-CH 250V 3.1A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

FQU4P25TU.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

QFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.1 Ohm @ 1.55A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.5W (Ta), 45W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
type de FET

P-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

250V
Description détaillée

P-Channel 250V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.1A (Tc)

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK

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FQU6N40CTU_NBEA001

FQU6N40CTU_NBEA001

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La description: MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK

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