Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > HGT1S7N60C3DS9A
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3338676HGT1S7N60C3DS9A imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S7N60C3DS9A

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    HGT1S7N60C3DS9A
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 14A 60W TO263AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    HGT1S7N60C3DS9A.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 7A
  • Condition de test
    480V, 7A, 50 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    -
  • énergie de commutation
    165µJ (on), 600µJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-263AB
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    37ns
  • Puissance - Max
    60W
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Température de fonctionnement
    -
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    -
  • gate charge
    23nC
  • Description détaillée
    IGBT 600V 14A 60W Surface Mount TO-263AB
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    56A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    14A

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "HGT1S7N60C3DS9A".
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

La description: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

La description: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

La description: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

La description: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

La description: IGBT 380V 20A 150W TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

La description: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

La description: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTG12N60A4

HGTG12N60A4

La description: IGBT 600V 54A 167W TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

La description: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

La description: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

La description: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

La description: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D

La description: IGBT 600V 24A 104W TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

La description: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTG12N60B3

HGTG12N60B3

La description: IGBT 600V 27A 104W TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTG12N60A4D

HGTG12N60A4D

La description: IGBT 600V 54A 167W TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

La description: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

La description: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGTG11N120CN

HGTG11N120CN

La description: IGBT 1200V 43A 298W TO247

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

La description: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.