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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > HUF75343P3

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HUF75343P3

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Spécifications

Modèle de produit

HUF75343P3
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.HUF75343P3.pdf
2.HUF75343P3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max)

270W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

205nC @ 20V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

55V
Description détaillée

N-Channel 55V 75A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

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Mode de paiement

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Expédition

Paiement

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HUF75333S3

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HUF75333P3

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