IRFR120_R4941

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Spécifications

Modèle de produit

IRFR120_R4941
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 8.4A TO-252AA
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRFR120_R4941.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-252AA
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 5.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

50W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

IRFR120_R4941-ND
IRFR120FS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 8.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.4A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRFR120_R4941".

IRFR12N25DTRRP

La description: MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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