IRFR120ZPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRFR120ZPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRFR120ZPBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D-Pak
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

35W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

*IRFR120ZPBF
SP001556832
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D-Pak
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8.7A (Tc)

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IRFR120PBF

La description:

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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