IRLM110ATF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLM110ATF
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.IRLM110ATF.pdf
2.IRLM110ATF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223-4
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

440 mOhm @ 750mA, 5V
Dissipation de puissance (max)

2.2W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 1.5A (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.5A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRLM110ATF".

IRLL2705PBF

La description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IRLM110ATF

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