IRLL2703PBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRLL2703PBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRLL2703PBF.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

45 mOhm @ 3.9A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

*IRLL2703PBF
SP001550462
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

530pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 3.9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.9A (Ta)

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IRLL2703

La description: MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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