MJD3055TF

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Spécifications

Modèle de produit

MJD3055TF
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 60V 10A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MJD3055TF.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

8V @ 3.3A, 10A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

D-Pak
Séries

-
Puissance - Max

1.75W
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

MJD3055TFDKR
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

13 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

2MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 10A 2MHz 1.75W Surface Mount D-Pak
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

10A
Numéro de pièce de base

MJD3055

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MJD31CETF

La description: TRANS NPN

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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