MJD31CITU

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Spécifications

Modèle de produit

MJD31CITU
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 100V 3A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

MJD31CITU.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 375mA, 3A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

IPAK (TO-251)
Séries

-
Puissance - Max

1.56W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

3MHz
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 1.56W Through Hole IPAK (TO-251)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A
Numéro de pièce de base

MJD31

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MJD31CT4

La description: TRANS NPN 100V 3A DPAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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