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2093490MMUN2137LT1G imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MMUN2137LT1G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MMUN2137LT1G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SOT-23 (TO-236AB)
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    22 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    47 kOhms
  • Puissance - Max
    246mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    MMUN2137LT1G-ND
    MMUN2137LT1GOSTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    24 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
MMUN2140LT1G

MMUN2140LT1G

La description: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMUN2141LT1G

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MMUN2213LT1

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMUN2212LT1

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMUN2211LT3G

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMUN2138LT1G

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMUN2212LT1G

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MMUN2135LT1G

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MMUN2211LT3

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MMUN2134LT1G

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MMUN2134LT1

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MMUN2211LT1

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MMUN2116LT1G

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