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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > MUN5131T1G
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3753359MUN5131T1G imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN5131T1G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    MUN5131T1G
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    MUN5131T1G.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 5mA, 10mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SC-70-3 (SOT323)
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    2.2 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Puissance - Max
    202mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-70, SOT-323
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    2 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    8 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    MUN51**T

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MUN5116DW1T1G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5133DW1T1G

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MUN5116T1

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5130DW1T1G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5116T1G

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

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MUN5116DW1T1

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