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MUN5132DW1T1G

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  • Modèle de produit
    MUN5132DW1T1G
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SC88
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 1mA, 10mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    4.7 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    250mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    40 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    15 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
MUN5115T1G

MUN5115T1G

La description: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5116T1G

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5130DW1T1G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5116DW1T1

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

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MUN5135DW1T1G

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MUN5131T1G

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MUN5136DW1T1

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MUN5135T1G

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MUN5116T1

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MUN5131DW1T1G

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MUN5135DW1T1

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La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

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MUN5133T1G

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MUN5134DW1T1G

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