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NGTD17T65F2SWK

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Spécifications

Modèle de produit

NGTD17T65F2SWK
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NGTD17T65F2SWK.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A
Condition de test

-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

-
énergie de commutation

-
Package composant fournisseur

Die
Séries

-
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

Die
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant

4 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

160A

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livraison
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NGTD30T120F2SWK

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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