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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > NGTD21T65F2WP
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NGTD21T65F2WP

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Spécifications
  • Modèle de produit
    NGTD21T65F2WP
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    NGTD21T65F2WP.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    650V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 45A
  • Condition de test
    -
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    -
  • énergie de commutation
    -
  • Package composant fournisseur
    Die
  • Séries
    -
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    Die
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Délai de livraison standard du fabricant
    4 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    Trench Field Stop
  • Description détaillée
    IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    200A

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Expédition
Paiement
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NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NGTD23T120F2SWK

NGTD23T120F2SWK

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

La description: DIODE GEN PURP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

La description: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

La description: DIODE GEN PURP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD17T65F2WP

NGTD17T65F2WP

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

La description: DIODE GEN PURP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

La description: DIODE GEN PURP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP

La description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

La description: DIODE GEN PURP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

La description: DIODE GEN PURP 650V DIE

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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