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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > NSB9435T1G
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3550703NSB9435T1G imageAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSB9435T1G

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Spécifications
  • Modèle de produit
    NSB9435T1G
  • Fabricant / marque
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    NSB9435T1G.pdf
  • Modèle ECAD
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    30V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    550mV @ 300mA, 3A
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SOT-223
  • Séries
    -
  • Résistance - Base (R1)
    10 kOhms
  • Puissance - Max
    720mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-261-4, TO-261AA
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    6 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    110MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 3A 110MHz 720mW Surface Mount SOT-223
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    125 @ 800mA, 1V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    -
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    3A

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NSBA113EDXV6T1

NSBA113EDXV6T1

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSB8MTHE3/81

NSB8MTHE3/81

La description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
NSB8MT-E3/45

NSB8MT-E3/45

La description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G

La description: TRANS PREBIAS DUAL PNP

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSB8MTHE3_A/I

NSB8MTHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
NSBA114EF3T5G

NSBA114EF3T5G

La description: TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSBA114EDXV6T5G

NSBA114EDXV6T5G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSB8KTHE3/81

NSB8KTHE3/81

La description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
NSB8MTHE3/45

NSB8MTHE3/45

La description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
NSB8KTHE3_A/I

NSB8KTHE3_A/I

La description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
NSB8MTHE3_A/P

NSB8MTHE3_A/P

La description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
NSB9703

NSB9703

La description: COMMON POINT GND CORD 10MM 10'

Fabricant: Desco
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RFQ
NSBA113EDXV6T1G

NSBA113EDXV6T1G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114EDP6T5G

NSBA114EDP6T5G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
NSBA114EDXV6T1G

NSBA114EDXV6T1G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSB8KTHE3/45

NSB8KTHE3/45

La description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
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RFQ
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSB8KTHE3_A/P

NSB8KTHE3_A/P

La description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
RFQ
NSBA114EDXV6T5

NSBA114EDXV6T5

La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
En stock
RFQ
NSB8MT-E3/81

NSB8MT-E3/81

La description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay
En stock
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