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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTB6410ANT4G

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NTB6410ANT4G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTB6410ANT4G

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Spécifications

Modèle de produit

NTB6410ANT4G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTB6410ANT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 76A, 10V
Dissipation de puissance (max)

188W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

NTB6410ANT4G-ND
NTB6410ANT4GOSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

25 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 76A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

76A (Tc)

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Expédition

Paiement

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTB60N06L

La description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

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La description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

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NTB65N02RG

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTB6410ANG

La description: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

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NTB65N02R

La description: MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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La description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTB6448ANT4G

La description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

En stock

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