NTB65N02RG

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Spécifications

Modèle de produit

NTB65N02RG
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 25V 7.6A D2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTB65N02RG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D2PAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.04W (Ta), 62.5W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1330pF @ 20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

N-Channel 25V 65A (Tc) 1.04W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount D2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

65A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "NTB65N02RG".

NTB75N03-06T4

La description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTB65N02RG

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