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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD3055-150T4G

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NTD3055-150T4G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3055-150T4G

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Spécifications

Modèle de produit

NTD3055-150T4G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTD3055-150T4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

NTD3055-150T4GOS
NTD3055-150T4GOS-ND
NTD3055-150T4GOSTR
NTD3055150T4G
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

5 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 9A (Ta) 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9A (Ta)

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Expédition

Paiement

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