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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD3055L104-1G

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NTD3055L104-1G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3055L104-1G

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Spécifications

Modèle de produit

NTD3055L104-1G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTD3055L104-1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±15V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

104 mOhm @ 6A, 5V
Dissipation de puissance (max)

1.5W (Ta), 48W (Tj)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms

NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Ta)

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Expédition

Paiement

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