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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD4863NA-35G

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NTD4863NA-35G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD4863NA-35G

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Spécifications

Modèle de produit

NTD4863NA-35G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 25V 49A SGL IPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTD4863NA-35G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I-PAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.27W (Ta), 36.6W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

990pF @ 12V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

N-Channel 25V 9.2A (Ta), 49A (Tc) 1.27W (Ta), 36.6W (Tc) Through Hole I-PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

9.2A (Ta), 49A (Tc)

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET N-CH 25V 65A IPAK TRIMMED

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