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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTD6416ANLT4G

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NTD6416ANLT4G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD6416ANLT4G

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Spécifications

Modèle de produit

NTD6416ANLT4G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTD6416ANLT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DPAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

74 mOhm @ 19A, 10V
Dissipation de puissance (max)

71W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

NTD6416ANLT4G-ND
NTD6416ANLT4GOSTR
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 19A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

19A (Tc)

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Expédition

Paiement

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