NTJS3157NT2

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Spécifications

Modèle de produit

NTJS3157NT2
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NTJS3157NT2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

400mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

1W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

1.8V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.2A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "NTJS3157NT2".

NTJS4405NT4G

La description: MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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