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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTJS4405NT4G

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NTJS4405NT4G image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJS4405NT4G

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Spécifications

Modèle de produit

NTJS4405NT4G
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTJS4405NT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

350 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max)

630mW (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

2.7V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)

25V
Description détaillée

N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1A (Ta)

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Mode de paiement

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Expédition

Paiement

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Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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