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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTP6412ANG

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NTP6412ANG image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTP6412ANG

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Spécifications

Modèle de produit

NTP6412ANG
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTP6412ANG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18.2 mOhm @ 58A, 10V
Dissipation de puissance (max)

167W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

NTP6412ANG-ND
NTP6412ANGOS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

58A (Tc)

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Expédition

Paiement

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La description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

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La description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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La description: MOSFET N-CH 60V TO-220-3

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NTP60N06G

La description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTP6413ANG

La description: MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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