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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTP6413ANG

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NTP6413ANG image

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTP6413ANG

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Spécifications

Modèle de produit

NTP6413ANG
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

NTP6413ANG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

28 mOhm @ 42A, 10V
Dissipation de puissance (max)

136W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

NTP6413ANG-ND
NTP6413ANGOS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 42A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

42A (Tc)

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Expédition

Paiement

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NTP5862NG

La description: MOSFET N-CH 60V TO-220-3

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NTP60N06G

La description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

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NTP65N02RG

La description: MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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La description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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La description: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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NTP6412ANG

La description: MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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