NTP75N06

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Spécifications

Modèle de produit

NTP75N06
Fabricant / marque

AMI Semiconductor/onsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

NTP75N06.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5 mOhm @ 37.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.4W (Ta), 214W (Tj)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

NTP75N06OS
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4510pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 75A (Ta) 2.4W (Ta), 214W (Tj) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

75A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "NTP75N06".

NTP75N03L09

La description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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